Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1LJ M2G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1LJ
ES1LJ M2G Hakkında
ES1LJ M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyodudur. 600V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. Fast recovery tipi diyot olarak 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Surface mount DO-214AC (SMA) paketi ile kompakt PCB tasarımlarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, adaptörler, LED sürücüler ve düşük güçlü AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 1.7V maksimum forward voltage ve 5µA ters sızıntı akımı özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok