Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1LGHM2G
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1LGHM2G
ES1LGHM2G Hakkında
ES1LGHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 400V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Surface mount DO-214AC (SMA) paketinde sunulan bu bileşen, 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu diyot, güç kaynakları, konvertörler, inverterler ve çeşitli AC/DC doğrultma devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. Maksimum forward voltajı 1.3V @ 1A ve ters kaçak akımı 5µA @ 400V olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok