Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1LDHM2G
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1L
ES1LDHM2G Hakkında
ES1LDHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı silikon doğrultma diyotudur. 200V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. Fast recovery karakteristiği ile 35 ns reverse recovery time sunan bu bileşen, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. DO-214AC (SMA) yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 950 mV forward voltage düşüşü ve 5 µA ters kaçak akımı özellikleri ile enerji verimliliği dikkate alınan endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygundir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok