Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1LD M2G
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1LD
ES1LD M2G Hakkında
ES1LD M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 200V 1A kapasiteli genel amaçlı doğrultucu diyottur. Fast recovery tipi diyot olarak tasarlanmış olup, 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Surface mount DO-214AC (SMA) paketinde sunulan bu bileşen, 950 mV maksimum forward voltaj ve 5 µA reverse leakage akımı özellikleri ile güç kaynakları, inverter devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok