Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JLHRTG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1JLHRTG
ES1JLHRTG Hakkında
ES1JLHRTG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 600V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Fast recovery özelliği sayesinde 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Sub SMA (DO-219AB) surface mount paket içinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, AC/DC konverterler, adaptörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 1.7V @ 1A forward voltage değeri ile düşük ısı kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok