Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JLHRQG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1JLHRQG
ES1JLHRQG Hakkında
ES1JLHRQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 1A kapasitesi olan standart doğrultucu diyottur. Sub SMA (DO-219AB) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, hızlı recovery özelliğine sahip olup 35 ns reverse recovery time ile çalışır. 1.7V forward voltage ve 5µA reverse leakage current özellikleriyle güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunarak endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarda yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok