Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JLHRHG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1JLHRHG
ES1JLHRHG Hakkında
ES1JLHRHG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 600V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanan bu bileşen, fast recovery özelliğine (35ns reverse recovery time) sahiptir. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketinde sunulan ES1JLHRHG, endüstriyel güç kaynakları, anahtarlama devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1.7V forward voltage ve 5µA @ 600V ters sızıntı akımı karakteristikleriyle düşük enerji kaybı ve güvenilir çalışma sağlar. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok