Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JLHR3G
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1J
ES1JLHR3G Hakkında
ES1JLHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultici diyottur. 600V ters gerilim kapasitesine ve 1A ortalama doğrultulmuş akıma sahip olan bu bileşen, fast recovery tipi diyot sınıfına girmektedir. 35 ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. Surface mount Sub SMA (DO-219AB) paketinde sunulan ES1JLHR3G, anahtarlama güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, inverterler ve benzer elektronik devrelerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 1.7V @ 1A forward voltaj ve 5µA @ 600V reverse leakage current özellikleri ile sabit ve güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok