Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JLHMQG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1JLH
ES1JLHMQG Hakkında
ES1JLHMQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrulttucu diyottur. 600V ters voltaj kapasitesi ve 1A ortalama doğrultulmuş akım ile tasarlanmıştır. Fast recovery diyot olarak sınıflandırılmakta olup, 35ns reverse recovery time özelliği sayesinde yüksek frekans uygulamalarında kullanılabilir. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 1.7V forward voltage değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, adaptörler, frekans dönüştürücüler ve genel doğrultucu uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok