Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JLHM2G
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1JLHM2G
ES1JLHM2G Hakkında
ES1JLHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 600V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Fast recovery karakteristiği (35ns reverse recovery time) ile 200mA üstü akım seviyeleri için çalışmaya uygun olup, DC/AC dönüştürücü, adaptör, şarj devresi ve endüstriyel güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. Sub SMA (DO-219AB) yüzeye monte paketlemesi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, maksimum 1.7V forward voltaj ve 5µA ters sızıntı akımı özelliklerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok