Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JL RVG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1JL
ES1JL RVG Hakkında
ES1JL RVG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 1A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyotur. Fast recovery diyot olarak tasarlanmış bu komponent, 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount Sub SMA pakajında sunulan diyot, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 1.7V forward voltage ve 5µA reverse leakage current karakteristiği ile güç kaynakları, inverterler, SMPS ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 8pF @ 4V kapasitans değeri düşük sinyal uygulamalarında avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok