Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JL RTG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1JL
ES1JL RTG Hakkında
ES1JL RTG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 600V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu hızlı iyileşme diyotu, anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. 35 ns ters iyileşme süresi (trr) ile yüksek frekanslı devrelerde verimli çalışır. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu diyot, kompakt tasarım gerektiren uygulamalar için uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok