Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JL R3G
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1JL
ES1JL R3G Hakkında
ES1JL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery doğrultucu diyottur. 600V ters voltaj kapasitesiyle ve 1A ortalama doğrultulmuş akım yeteneğiyle güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 35ns düşük reverse recovery time ve Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı paketlemesi, kompakt tasarımlar ve yüksek frekans uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir işletim sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok