Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JL M2G
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1JL
ES1JL M2G Hakkında
ES1JL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen hızlı iyileşmeli (fast recovery) genel amaçlı doğrultucu diyottur. 600V maksimum ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulan akım kapasitesine sahip olup, Sub SMA (DO-219AB) yüzey monte paketlemesinde sunulmaktadır. 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında tasarlanmıştır. Şalter modu güç kaynakları, invertörler, AC-DC adaptörleri ve hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok