Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1JHR3G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1JHR3
ES1JHR3G Hakkında
ES1JHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 600V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir ve 1.7V forward voltage değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, LED sürücüleri, inverterler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında doğrultma ve koruma işlevleri için kullanılır. 5µA ters sızıntı akımı ile düşük kaçak özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok