Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1J R3G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1J
ES1J R3G Hakkında
ES1J R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 1A kapasiteli fast recovery diyotudur. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, genel amaçlı doğrultma uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Maksimum 1.7V forward voltage ve 5µA reverse leakage current karakteristikleriyle, AC/DC dönüştürücüler, adaptörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok