Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1J M2G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1J
ES1J M2G Hakkında
ES1J M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 600V ters gerilim dayanımı ve 1A ortalama düzeltme akımı kapasitesi ile güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 35ns reverse recovery time ve 500ns'nin altında recovery hızı ile yüksek frekans uygulamalarında düşük EMI üretir. Surface mount DO-214AC (SMA) paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 1.7V maksimum forward voltage ile enerji verimli uygulamalar sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 18pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok