Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1HL R3G
DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1HL
ES1HL R3G Hakkında
ES1HL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 500V 1A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyotudur. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montajlı pakette sunulur. 35 ns reverse recovery time ve fast recovery özellikleri sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 1.7V forward voltage @ 1A ile çalışmakta olup, -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Güç kaynakları, AC-DC konvertörleri, inverterler ve swith-mode güç kaynakları gibi uygulamalarda rectification işlemi için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 500 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 500 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok