Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1GLHRQG
DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1G
ES1GLHRQG Hakkında
ES1GLHRQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 400V ters kapanma gerilimi ve 1A ortalama doğrultulanmış akım kapasitesine sahiptir. 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımlara uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunur. Güç kaynakları, invertörler, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. 1.3V forward voltage ve 5µA reverse leakage current özellikleriyle verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok