Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1GLHM2G
DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1GLHM2G
ES1GLHM2G Hakkında
ES1GLHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 400V ters gerilim ve 1A ortalama düzeltilmiş akım kapasitesine sahiptir. Sub SMA yüzey monte paketi ile çok küçük boyutlarda uygulanabilir. 35ns ters iyileştirme süresi ve 200mA üzerinde 500ns'den küçük hız karakteristiği sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve enerji dönüşümü devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. Güç kaynakları, AC/DC konvertörleri ve LED sürücü devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok