Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1FLHR3G
DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1FLHR3G
ES1FLHR3G Hakkında
ES1FLHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 300V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Sub SMA yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.3V forward voltage ve 5µA ters kaçak akımı karakteristikleri ile AC/DC güç dönüştürme, SMPS devreler, LED sürücüleri ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bileşen, 8pF düşük kapasitans değeri sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda da uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 300 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok