Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1FL R3G
DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1FL
ES1FL R3G Hakkında
ES1FL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 300V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı paketinde sunulan bu diyot, 35 ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygundur. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 300 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok