Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1FL M2G
DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1FL
ES1FL M2G Hakkında
ES1FL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 300V ters gerilim dayanımı ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile AC/DC güç kaynakları, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) ve ters diyot uygulamalarında kullanılır. 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.3V maksimum forward voltage ve 5µA maksimum reverse leakage akımı özellikleri ile verimli doğrultma işlemi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 300 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok