Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1FHM2G
DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1FHM2G
ES1FHM2G Hakkında
ES1FHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 300V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu diyot, güç kaynakları, anahtarma güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve koruma devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 1.3V forward voltage ve 5µA ters sızıntı akımı karakteristikleri ile verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 300 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok