Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1DV R3G
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1DV
ES1DV R3G Hakkında
ES1DV R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 200V DC ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, fast recovery tipinde olup 15ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlamaya uyumludur. Maksimum forward voltajı 1A'de 920mV'tur. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, invertörler ve doğrultma devrelerinde kullanılmaya uygundur. 5µA ters kaçak akımı ile düşük sızıntıya sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 15 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok