Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1DLHMQG
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1DLHMQG
ES1DLHMQG Hakkında
ES1DLHMQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery doğrultucu diyottur. 200V ters voltaj dayanımı ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile beslenme kaynakları, çevrimci devreler ve AC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlamalı uygulamalarda verimliliği artırır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey monte paketinde sunulan bu diyot, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. Düşük forward voltage (950mV @ 1A) ve minimum reverse leakage current (5µA @ 200V) özellikleri sayesinde güç uygulamalarında enerji kaybını minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok