Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1DL RTG
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1DL
ES1DL RTG Hakkında
ES1DL RTG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 200V ters voltaj kapasitesi ve 1A ortalama doğrultulmuş akım ile tasarlanan bu diyot, Sub SMA yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 35 ns'lik kısa reverse recovery time (trr) ve 200 mA üzeri akım koşullarında 500 ns'den daha düşük hızlandırılmış iyileştirme özelliği ile güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve genel doğrultma uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sağlar. 950 mV forward voltage (1A'da) ile minimum güç kaybı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok