Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1DL RQG
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1DL
ES1DL RQG Hakkında
ES1DL RQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı geri kazanım diyotudur. 200V ters voltaj derecelendirilmesi ve 1A ortalama doğrultulu akım kapasitesi ile güç kaynakları, adaptörler ve endüstriyel elektronik devrelerde doğrultma uygulamalarında kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı paketlemesi kompakt tasarımlar için uygundur. 35ns geri kazanım süresi (trr) sayesinde yüksek frekanslı anahtarlamada düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 950mV forward voltajı ve 5µA ters sızıntısı ile verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok