Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1CLHR3G
DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1CLH
ES1CLHR3G Hakkında
ES1CLHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme (fast recovery) diyot olup 150V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Sub SMA yüzey monte paket içinde sunulan bu diyot, 35 ns ters iyileştirme süresi (trr) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun kılınmıştır. 950 mV maksimum ileri gerilim düşüşü ve 5 µA ters sızıntı akımı özellikleri ile güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, anahtarlamalı regülatörler ve diğer doğrultma devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ES1CLHR3G, 10 pF kapasitansı ile 4V ters gerilimde ölçülmüştür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 150 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok