Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1BLHR3G
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1BLHR3G
ES1BLHR3G Hakkında
ES1BLHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Forward gerilimi maksimum 950 mV @ 1A olan bu diyot, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10pF @ 4V kapasitansı ve 5 µA @ 100V ters kaçak akımı ile düşük elektrik kayıpları sağlar. Güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, inverterler ve anahtarlamalı regülatör devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok