Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1BLHM2G
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1BLHM2G
ES1BLHM2G Hakkında
ES1BLHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 100V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Fast recovery özelliği ile 35 ns ters kurtarma süresi sunarak, hızlı anahtarlama uygulamalarında etkin performans sağlar. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı paketlemesi, küçük form faktörü gerektiren uygulamalarda kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve geniş sıcaklık ortamlarında kullanımını mümkün kılar. Düşük 5 µA ters kaçak akımı, güç kaynakları, anahtarlayıcı devreler ve AC/DC dönüştürücülerde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok