Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1BL RTG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1BL
ES1BL RTG Hakkında
ES1BL RTG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 100V ters voltaj ve 1A ortalama doğrulturma akımı kapasitesi ile AC/DC güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve koruma uygulamalarında kullanılır. 35ns reverse recovery time ve Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygun çözüm sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu diyot, 950mV maksimum forward voltajı ile düşük güç kaybı sağlar. 5µA ters kaçak akımı ve 10pF kapasitansı ile yüksek frekanslı ve hassas uygulamalar için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok