Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1BL R3G
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1BL
ES1BL R3G Hakkında
ES1BL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 100V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım yeteneğine sahip bu bileşen, yüksek hız geri kazanım özelliği (35 ns) sayesinde AC/DC dönüştürme uygulamalarında, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve RF demodülasyon sistemlerinde kullanılır. Surface mount Sub SMA paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 950 mV forward voltajı ve 5 µA ters sızıntı akımı ile verimliliği ve güvenilirliği sayesinde tüketici elektronikleri, endüstriyel kontrol sistemleri ve iletişim cihazlarında yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok