Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1BAL M3G
35NS, 1A, 100V, SUPER FAST RECOV
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-221AC
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1BAL
ES1BAL M3G Hakkında
ES1BAL M3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 1A 100V super fast recovery doğrultma diyotudur. 35 nanosaniye reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DO-221AC (SMA) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 950 mV forward voltage düşüşü ve 1 µA reverse leakage akımı karakteristikleriyle tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışan ES1BAL M3G, anahtarmalı güç kaynakları, inverter devreleri, sıcak enerji geri kazanım sistemleri ve freewheeling uygulamalarında tercih edilir. 18 pF kapasitansi ile EMI seviyesi düşüktür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Thin SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok