Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1ALHRVG
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1ALHRVG
ES1ALHRVG Hakkında
ES1ALHRVG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen bir general purpose diyottur. 50V reverse voltage ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Fast recovery tipi diyot olup 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlamaya uyguntur. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajı paketinde sunulur. Forward voltage 950mV @ 1A'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Reverse leakage current 5µA @ 50V seviyesindedir. Bu bileşen, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, anahtarlamalı devrelerde ve genel amaçlı doğrultme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok