Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1ALHMTG
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1AL
ES1ALHMTG Hakkında
ES1ALHMTG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 50V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, hızlı anahtarlama uygulamalarında ve doğrultucu devrelerde kullanılır. DO-219AB (Sub SMA) paketinde sunulan ES1ALHMTG, 35ns reverse recovery time ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu diyot, enerji kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 950mV maksimum forward voltage ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleriyle verimli çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok