Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1AL R3G
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1AL
ES1AL R3G Hakkında
ES1AL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı silikon doğrultma diyotudur. 50V ters voltaj dayanımı ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Fast recovery diyot olarak 35ns reverse recovery time sunarak anahtarlama devrelerinde ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 950mV ön kapı voltajı ve 5µA ters sızıntı akımı ile güvenilir anahtarlama ve redresifikasyon uygulamalarında kullanılan standart bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok