Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1AL M2G
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1AL
ES1AL M2G Hakkında
ES1AL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery doğrultma diyodudur. 50V DC ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 35ns reverse recovery time ve 950mV forward voltage özellikleriyle, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, tüketici elektroniği ve AC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesini desteklemektedir. Düşük leakage akımı (5µA @ 50V) ve 10pF kapasitansı ile yüksek frekans uygulamalarında da yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok