Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1AHM2G
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1AHM2G
ES1AHM2G Hakkında
ES1AHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 50V 1A kapasiteli genel amaçlı doğrultucu diyottur. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, fast recovery diyot kategorisinde yer alır ve 35 ns reverse recovery time değerine sahiptir. Forward voltajı 950 mV @ 1A, reverse leakage akımı ise 50V'ta 5 µA'dır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen bu diyot, AC/DC güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve düşük hızlı uygulamalarda kullanılır. Surface mount teknolojisine uygun tasarımı, kompakt elektronik tasarımlarında tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok