Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2111
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2111 Hakkında
EPC2111, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı asimetrik half bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bir FET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (2.2nC @ 5V) ve düşük input capacitance (230pF @ 15V) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. On-resistance değeri 19mOhm @ 15A, 5V olup, enerji kaybını minimize eder. Junction sıcaklığı -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount die paketinde sunulan bu komponent, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri, şarj cihazları ve benzer anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok