Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2110ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
EPC2110ENGRT Hakkında
EPC2110ENGRT, EPC tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) tabanlı bir dual N-channel FET transistördür. 120V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile 25°C'de 3.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (0.8nC @ 5V) ve 60mOhm on-resistance özellikleri sayesinde yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. GaNFET teknolojisi, silikon tabanlı MOSFET'lerle karşılaştırıldığında daha hızlı komütasyon ve daha düşük kaybı sağlar. Die formunda temin edilen bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi, motor kontrol ve RF uygulamalarında kullanılmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve ticari seviye uygulamalar için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok