Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
EPC2110 Hakkında
EPC2110, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı bir dual N-channel FET dizisidir. 120V drain-to-source gerilim ve 3.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Die paket formunda sunulan bu bileşen, 60mΩ maksimum on-state direnç (Rds on) ve 0.8nC kapı yükü özellikleriyle düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında güvenilir çalışması ile güç elektronikleri, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5V kapı eşik gerilimi hızlı ve kontrollü anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok