Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
EPC2108 Hakkında
EPC2108, EPC tarafından üretilen üç kanallı N-channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistör dizisidir. Half-bridge ve senkron bootstrap konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 60V ve 100V drenaj-kaynak geriliminde çalışabilir. 1.7A ve 500mA kontinü drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (0.22nC / 0.044nC) ve düşük input kapasitans özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. RDS(on) değerleri sırasıyla 190mOhm ve 3.3Ohm'dur. Surface mount 9-VFBGA paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor sürücüleri, invertörler ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yer alır. -40°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 100V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 9-VFBGA |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| Supplier Device Package | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok