Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2107
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
EPC2107 Hakkında
EPC2107, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı 3 kanallı N-Channel FET transistör dizisidir. 100V drain-source voltaj rating'ine sahip bu entegre, half-bridge ve synchronous bootstrap konfigürasyonunda çalışmaktadır. 1.7A ve 500mA sürekli drain akım kapasitesi ile güç yönetimi, LED sürücüleri, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 9-VFBGA (1.35x1.35mm) yüzey montaj paketinde sunulan komponentin maksimum gate charge değeri 0.16nC, input kapasitansi ise 16pF'dir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen EPC2107, 320mOhm (2A, 5V) ile 3.3Ohm (2A, 5V) arasında değişen RDS(on) değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 9-VFBGA |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| Supplier Device Package | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok