Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2106ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
EPC2106ENGRT Hakkında
EPC2106ENGRT, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayanan 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda bir FET transistöründür. 100V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, düşük gate charge (0.73nC @ 5V) ve 70mOhm on-resistance değerleri nedeniyle yüksek verimlilik gerektiren uygulamalarda kullanılır. Bump bonded die paket tipi ile hızlı anahtarlama ve minimum iletim kaybı sağlar. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve enerji dağıtım uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu transistör, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount uyumlu die formu, kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok