Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
EPC2106 Hakkında
EPC2106, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı bir FET transistör dizisidir. 100V drain-source voltaj kapasitesine ve 1.7A sürekli drain akımına sahiptir. Yarım köprü (Half Bridge) yapısında iki N-Channel FET içerir. 70mOhm on-state direnci (Rds On) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. 0.73nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir. -40°C ile 150°C arasında çalışır. Surface mount die formu küçük boyutlu uygulamalar için uygundur. Güç dönüştürme devrelerinde, sürücü devrelerinde ve düşük kayıp anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok