Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2105ENGRT
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
EPC2105ENGRT Hakkında
EPC2105ENGRT, EPC tarafından üretilen Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı N-channel FET dizisidir. Half-bridge konfigürasyonunda iki kanal içeren bu die tipi transistör, 80V drain-source voltajında 9.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 14.5mΩ maximum on-resistance (Rds(on)) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında verimli çalışır. 2.5nC gate charge ve 300pF input capacitance parametreleri hızlı anahtarlama özelliği sunar. Düşük sıcaklık katsayısı ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ile 150°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri ve motor sürücülerinde kullanılır. Die paketi nedeniyle chipscale uygulamalar için uygundur. Ürün Digi-Key'de devre dışı bırakılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok