Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2105
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2105 Hakkında
EPC2105, Gallium Nitride (GaN) teknolojisine dayalı asimetrik yarım köprü yapılandırmasında iki adet N-Channel FET içeren bir transistör dizisidir. 80V Drain-Source gerilim desteği ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Maksimum 38A kesintisiz dren akımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (2.5nC @ 5V) ve minimal RDS(on) değerleri (3.4mOhm @ 20A, 5V) ile anahtarlama kaybını azaltır. Surface mount Die paketinde sunulan bu komponent, -40°C ile +150°C arasında çalışır. SMPS, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok