Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2104ENGRT
GANFET 2NCH 100V 23A DIE
EPC2104ENGRT Hakkında
EPC2104ENGRT, Gallium Nitride (GaN) teknolojisi tabanlı 2 N-Channel half-bridge FET dizisidir. 100V Vdss ve 23A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu DIE formatlı transistör, 6.3mΩ on-resistance değerine sahiptir. 7nC gate charge ve 800pF input capacitance özellikleriyle düşük switching kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, güç dönüştürme uygulamaları, inverter devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Surface mount die paketi olarak sunulan bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama gerektiren endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok