Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC2104 Hakkında
EPC2104, EPC tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı simetrik half bridge transistör dizisidir. İki adet N-Channel FET içeren bu bileşen, 100V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 6.3mΩ maksimum on-direnci, düşük kapasitans değerleri ve 7nC gate charge özellikleriyle yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında verimli çalışmaya imkan tanır. Surface mount Die paketinde sunulan EPC2104, DC-DC konvertörleri, invertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışabilen bu transistör, modern elektrik ve elektronik sistemlerde enerji verimliliği gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok